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中新網12月4日電 三星電子近日宣布，將在全球首家推出128GB DRAM內存。該產品采用3D立體硅穿孔封裝技術，容量和速度提升2倍，能耗減少50%。已經正式進入量產。

據悉，在這個小小的內存芯片中，三星內置了 144 個芯片，形成了 36×4GB DRAM 封裝，每個封裝中有 4×8Gb 芯片，而且該內存芯片采用了三星最先進的 20毫微米工藝制造。

因此，128GB TSV DRAM模塊不僅容量大，而且還滿足超高速、超省電、高安全性等綠色IT的要求，是面向企業級服務器和數據中心的解決方案。

相比于傳統的引線連接多芯片封裝方式，TSV(硅穿孔)技術能夠大大減少半導體設計中的引線使用量，降低工藝復雜度，從而提升速度、降低功耗、縮小體積。

尤其與采用引線連接封裝方式的64GBD RAM 模塊相比，128GB TSV DRAM模塊的速度高達2,400Mbps，而功耗則減少了50%。

而且，三星電子計劃在年內量產采用TSV技術的 “128GB DDR4 LRDIMM”， 并提高20納米8GB DRAM的生產比例，以此進一步加強競爭力。

三星電子內存事業部戰略營銷組CHO JOO SUN 副社長表示：“ 得益于128GB DRAM模塊的量產，我們才能及時上線幫助全球IT客戶提高投資效率的下一代服務器系統。今后，我們會擴大客戶和技術合作范圍，加快全球IT市場的發展，讓消費者享受更加便利的服務。”

在過去20年，三星始終保持存儲器行業世界領先的位置。三星半導體不僅在中國引入最先進的技術，同時建設完整的產業鏈，不斷地自我創新和自我超越。

4月15日，三星電子(蘇州)半導體有限公司新型生產線“I LINE”竣工。而在一天之前的4月14日，三星(中國)半導體有限公司在西安也隆重舉行了封裝測試生產線竣工投運儀式。

據了解，三星在韓國的華城建有存儲芯片的生產基地，在韓國的溫陽和中國的蘇州運行有存儲芯片的封裝測試中心。而位于西安高新區綜合保稅區的三星(中國)半導體有限公司4月14日竣工的封裝測試生產線，是將前工程生產出的V-NAND閃存，在這里經過封裝測試等工序制成固態硬盤(SSD)。這標志著三星(中國)半導體有限公司將成為集存儲芯片生產、封裝、測試于一體的半導體綜合生產園區。

兩天之內，三星半導體在中國的兩家工廠生產線先后竣工，這不僅意味著三星半導體全業態生產鏈在中國正式形成，也意味著三星在中國的發展戰略正不斷朝著高端制造以及高科技轉移。